LCD TV傳統旺季到 Vista帶動NB、監視器市場加溫面板廠爭搶LCD驅動IC 供需吃緊恐延續到明年1Q
（記者趙凱期∕台北） 2006/10/25
由於全球TFT LCD面板廠看好2006年第四季液晶電視（LCD TV）市場需求，配合近期PC市場出現Vista的鋪貨效應，帶動筆記型電腦（NB）及液晶監視器需求明顯轉佳，台系面板廠近期針對LCD驅動IC積極拉貨的動作，已造成LCD驅動IC市場供需轉趨吃緊，台系IC設計業者表示，由於晶圓代工交期仍達10週以上，因此，若本季面板需求如預期發燙，則缺貨問題到2007年第一季恐怕都難以緩解。
不過，台系IC設計業者也坦言，這樣的缺貨問題，其實往往在面板產業景氣突然樂觀時，都會發生，原因就在於LCD驅動IC供應商本身的庫存，目前多壓縮在1個月左右水準，即使加上在晶圓代工廠所佈建的WIP（Wafer in process）量能，其實也只有1.5個月的安全存量，一旦面板廠齊一心志看好未來市場需求，則客戶大量拉貨的動作，絕對會造成LCD驅動IC市場傳出缺貨聲音。
只是，這樣缺貨的效應，對LCD驅動IC供應商而言，其實僅能得到LCD驅動IC報價（ASP）持穩，及毛利率相對穩定的些許好處，除非有誰能在晶圓廠那頭掙得更多的晶圓產能，才會有更大的營收及獲利成長利多可期，而通常擁有經濟規模的聯詠（3034）及奇景，絕對是第一優先受惠者，其中聯詠9月營收提前以新台幣30.53億元創下歷史新高的走勢，就是反應LCD驅動IC市場供需吃緊的利多。
台系IC設計公司進一步分析，其實這波LCD驅動IC缺貨熱潮，多集中在17吋以上的大尺寸面板市場，以17吋面板為例，第三季跌破100美元時，整個市場是乏人問津，大家都期待有90美元以下的低價，不過，當8月中旬過後，17吋面板漲回100美元，甚至現在看到120～130美元後，大家又一窩蜂搶貨，市場供需波動過大的情形，當然也會造成LCD驅動IC市場的動盪。
而在全球LCD TV市場需求旺季，多集中往年的第四季，從聖誕節到隔年新曆年，一直再到農曆年，都是LCD TV產品的熱銷時分，面對近來LCD TV報價頻頻下殺取量的策略奏效，近來全球面板廠同聲看好第四季面板需求，甚至認為在Vista效應加持下，2007年第一季面板市場需求仍可維持高檔，因此，台面板廠爭搶LCD驅動IC的動作之多，是繼年初以來所罕見。
不過，台系IC設計業者也強調，LCD驅動IC市場供需吃緊的情形，是建立在產業鏈預期第四季及2007年首季面板市場需求將出現明顯成長的理論基礎下，加上晶圓代工廠成熟製程產能交期仍在10週以上，所以LCD驅動IC市場供不應求的情形，照理說到2007年第一季都難以紓解，但是，若12月下旬面板市場需求轉淡，則LCD驅動IC市場供需瞬間平衡的現象，也將可以預見。
威剛佈局NAND Flash專利有成 晉升國際大廠標準 Vista帶動 明年啟動新一波隨身碟需求熱潮
（記者連于慧∕台北） 2006/10/25
記憶體模組大廠威剛（3260）董事長陳立白表示，自2005年起，威剛持續在NAND型Flash專利佈局的成果已逐漸顯現，目前威剛共擁有158件專利，包含子公司萬國則共擁有337件專利，而從2006年第四季開始，威剛與八達共同擁有的雙∕多介面記憶卡正式開放授權，涵蓋領域包括台灣、大陸、美國、韓國、加拿大等地。
此外，陳立白也表示，微軟（Microsoft）新作業系統Vista除了帶動DRAM模組需求外，也同時帶動NAND型Flash的需求量，Ready Boost功能將增加隨身碟的需求，對於全球隨身碟市場會啟動新一波熱潮；而威剛也同時宣佈推出全球第一支支援Ready Boost功能的隨身碟。
陳立白指出，大陸順口溜常說「三流企業玩產品，二流企業玩品牌，一流企業玩專利」，因此近2年積極佈局NAND型Flash相關產品的專利領域，目前威剛擁有的專利已達158件，集團（包含萬國）擁有的專利權高達337件，平均每送件申請數量約4～5件。
尤其是在雙∕多介面記憶卡技術方面，威剛於2006年中取得八達的授權專利，包括台灣、大陸、美國、韓國、加拿大等地區，已開始對外開放授權；而針對八達與積智日通卡在雙介面記憶卡上的官司，陳立白表示，目前只剩下日本地區還未確定，但看好其勝訴機會。
此外，針對Vista作業系統對DRAM產業帶來的效應，陳立白指出，預計2007、2008年會陸續反應，預估玩家級的消費者將會最快升級電腦，企業級的用戶需要一點時間；在Vista推出前，PC記憶體bundle容量約600MB～700MB，Vista之後是1GB起跳，而受惠Vista作業系統的貢獻，預計將為DRAM需求量帶來20～30％成長幅度。
陳立白也指出，目前威剛NAND型Flash相關產品比重約35％，預計2007年將成長至40％，屆時將視DRAM模組和NAND型Flash產品熱絡的情況，在比重上做適時的調整。
新聞評析－爾必達下修資本支出 與力晶好事近？
（記者吳宗翰∕特稿） 2006/10/25
爾必達24日發佈2006會計年度第二季財報，令人感到意外的是，在所有DRAM廠幾乎一致上修資本支出的同時，爾必達卻反其道而行，下修2006會計年度資本支出預算，這是否與爾必達和其重要策略伙伴力晶（5346）間的新廠合作案，有一定程度的關連，引起市場高度關注。
10月初力晶董事會甫通過發行上限6億股的海外存託憑證（GDR），主要是為了因應12吋廠設備資金需求，而此舉一出立刻引起市場一陣聯想，認為力晶與爾必達的新廠合作案可望塵埃落定，市場也估計，此次力晶將可募集到新台幣120億元左右的資金，將有助力晶12C廠加速建廠。
而就在傳聞言猶在耳之際，24日爾必達指出，原本在公佈第一季財報時發佈2006會計年度資本支出為1,400億日圓，將向下修正為1,200億日圓，此話一出，市場人士便又再度將焦點轉移至爾必達與力晶的合作案，原因在於爾必達選擇在此時下修資本支出，難免啟人疑竇。
一般來說，減少資本支出的原因，可能是對整體產業景氣並不看好，二來則是對於擴產資金來源無須擔心，亦即已找到產能來源，而目前看來最有可能的則是後者，因為若爾必達確定與力晶合作建廠，則對於爾必達來說，便無需過多的資本支出用於擴充產能。
不過另一方面，也有可能因爾必達廣島12吋廠產能已擴充到接近滿載，因此無需更多資本支出用於廣島廠的擴建；此外，其8吋廠需要升級設備的可能性也可說是微乎其微，因此爾必達自然無須再編列過多的資本支出預算；最後，以力晶迅速擴充產能的速度來看，爾必達根本不需要擔心產能不足的問題，從這個角度觀察爾必達縮手資本支出的動作，看來也相當合理。
目前爾必達計劃第四季開始採用70奈米製程投產，而力晶則規劃第三季末試產70奈米，2007年第二季在12A、B廠導入量產，配合力晶中科12C新廠2007年第三季起也將進入投片階段，12C廠亦將直接以70奈米製程切入生產，因此對於爾必達的產能供應來說，無疑已吃下一顆定心丸。
思源：下個10年將尋求購併對象！旗艦產品Laker跨入主流市場 與國際EDA業者相抗衡
（記者宋丁儀∕新竹） 2006/10/25
電子設計自動化（EDA）業者思源（2473）飛躍10個年頭，該公司執行副總兼創辦人之一的鄧強生表示，思源未來不排除尋求產品具有互補性的購併對象，以求1加1大於2的成效，至於之前業界盛傳台灣知名大廠對購併思源極有興趣，鄧強生則鄭重否認，他表示，過去思源在利基型市場擁有極高的市佔率，放眼下個10年，更將跨入主流市場，有信心與國際大廠相抗衡。
思源自結前3季稅前新台幣6.48億元，與2005年同期6.67億元相較微幅減少2.8％，依目前流通在外股本1.92億計算，累計每股稅前為3.38元，本週董事會思源也將對前3季財報進行決議；思源表示，預期第四季營收將較第三季成長5％，而全年營收則與2005年持平、全年獲利則約增長10％。
目前思源EDA 2大產品是以除錯軟體Novas及佈線（Layout）軟體Laker為主力，其中Novas眾所皆知已成為其殺手級旗艦產品，而Laker則與國際大廠產品現面對面競爭；鄧強生表示，Laker「愈做愈漂亮」，日前已正式推出以Design-driven為取向的新版本，預期市場佔有率可從目前1成左右拉高至15％，並直接侵蝕國際大廠的市場，不過思源指出，新版Laker正式挹注業績應會自2007年中開始。
身為思源的創辦人之一，鄧強生指出，過去10年思源花相當多研發資源開發利基市場及後段Layout市場，未來思源將從點狀工具（point-tool）跨入主流EDA市場，也將更重視設計驗證、電子系統層次設計（ESL）等前段市場；據了解，思源針對ESL也已開發出具相當成熟度產品，預計2007年正式推出，這也使思源得以從既有產品，擴充產品線至主流產品、甚至是新興市場，與知名大廠直接競爭。
思源從10年前由6人創立，迄今已擴充為規模共計300人的本土EDA廠商，鄧強生說，未來思源會不斷尋求購併其他具有產品互補性的EDA公司，但他對之前謠傳思源將「被購併」，強烈回應絕對沒有，特別向外界澄清。
思源24日在新竹舉辦類比暨混訊設計研討會，晶圓代工龍頭台積電（2330）與IC設計公司聯發科（2454）、立錡（6286）等都捧場參與。
明基慎重考慮放棄明基西門子品牌 手機將回歸明基品牌、並轉戰利基市場 目標明年轉虧為盈
（記者沈勤譽∕台北） 2006/10/25
明基（2352）棄守德國手機子公司明基行動通訊（BenQ Mobile）後，正著手打造自己的手機團隊，未來將以智慧型手機等利基產品為主，並鎖定亞太、大陸及東歐等零售通路，並立下2007年轉虧為盈的目標；值得注意的是，由於分手事件對品牌造成一定程度衝擊，明基正慎重考慮放棄明基西門子品牌，未來手機可能回歸明基品牌進行銷售。
明基總經理李錫華表示，明基的手機事業正進行轉型，將鎖定在大陸、亞太及東歐等地的零售通路，至於營運商部份，主要營運商的大門仍然敞開，未來將慎選特定夥伴進行合作；在產品策略部份，明基將鎖定智慧型手機、行動上網等高度成長、利基的市場區隔，暫時不會介入低階大量型的產品，其中工業設計將是最大的差異化。
他進一步說，明基手機事業將力行亞洲研發、亞洲生產的策略，預計2007年推出14款新機，其中產能將縮減為40％，研發、銷售與行銷支出則將減少90％，雖然營收將大幅減少，但虧損會減少更多，由於組織輕薄化，轉虧為盈的目標將更容易達陣，預計2007年就可達成。
值得一提的是，由於西門子（Siemens）幾乎已經全面撤出通訊事業，加上明基西門子品牌可能存有分手事件的陰影，反倒對明基的手機產品不利，明基內部正在討論未來手機產品的品牌策略，有可能放棄使用明基西門子，並回歸明基品牌，讓所有產品線的品牌方向一致。
對此，李錫華強調，根據當初簽訂的合約，明基可使用西門子品牌5年，未來還可使用4年，對於未來的品牌策略，還在與客戶與通路夥伴討論，但不排除使用明基品牌。
明基董事長李焜耀表示，由於手機事業團隊從德國移回亞洲，亞洲組織將會進行調整，其中行銷與業務團隊將會增加，而亞洲生產據點將從現有的台灣、蘇州，集中到出口便利的上海。
明基3Q創單季虧損最高紀錄 大虧122億元本業僅小虧8,000萬元 惟提列損失準備達118億元 另提出100億元還債計畫
（記者沈勤譽∕台北） 2006/10/25
明基（2352）在宣佈停止投資德國手機子公司明基行動通訊（BenQ Mobile）之後，第三季一口氣提列損失準備達新台幣118億元，包含應收帳款、借款與部份庫存，使得單季出現稅後淨損122.2億元，每股虧損4.65元，這是連續第六季本業虧損及連續第四季稅後虧損，也創下單季虧損最高紀錄，不過，本業僅小虧8,000萬元。
明基財務資深副總游克用表示，不計明基行動通訊的營收在內，2006年第三季營收為400.67億元，毛利率則回升到10.6％，本業小虧8,000萬元，基於保守原則，一次性認列118億元，包括德國子公司的應收帳款、明基借給荷蘭控股公司的款項、長期股權投資及部份庫存，稅前淨損為120.8億元，稅後淨損則為122.2億元，每股虧損為4.65元。
明基24日董事會承認前3季財報，單季台灣母公司營收為1,019億元，稅後虧損達197億元，每股虧損為7.7元。
由於不計明基行動通訊約100億元的營收，明基第三季手機佔整體營收比重下滑到18％，較第二季腰斬，資訊產品與數位媒體產品則分別提升到68％及14％，較第二季的53％及11％增加。
游克用指出，為了降低利息成本，並降低財務風險，明基已經提出100億元的還債計畫，將於未來4季內執行，未來將會持續降低固定資產及長期投資，處分非核心投資，轉換成現金加以還款；事實上，明基董事會已經通過，將以9.4億元出售龜山廠辦大樓與土地給達信科技（8163），並出售均豪（5443）的股票。
放眼第四季，明基總經理李錫華表示，手機以外的產品，整體營收將低於第三季，其中液晶監視器的出貨與營收都可望增加，液晶電視與數位相機也會有可觀的成長表現，但代工的光碟機第三季已全數移轉給建興電（8008），第四季將不計營收，也會影響第四季營收表現。
至於原本擬定的250億元私募計畫，明基董事長李焜耀否認外傳募資困難的說法。他強調，明基與幾家私募基金討論了一半，他們都有很高的興趣，不過由於明基停止投資明基行動通訊後，相關計畫暫停，未來將伺機重新啟動。
新聞評析－超微、戴爾NB大動作 驚動老戰友惠普、宏碁 為顧新歡得罪舊愛 超微緊抓戴爾是福是禍仍未知
（記者林詩萍∕特稿） 2006/10/25
費盡千辛萬苦，超微（AMD）總算取得和PC第一大廠戴爾（Dell）全系列PC產品線合作機會，無論在伺服器（Server）、桌上型電腦（DT）和戴爾攜手的超微，多半因素都包括這些產品線在全球市佔率擁有突破20％的優異表現得來，但多年來在NB處理器市佔率僅維持10％上下的超微，最終也爭取到戴爾青睞而共創攜手在NB打天下的機會。不少人因此看好超微後續表現，認為這將一舉推升超微在NB市佔率，甚至有機會突破15％，創下新高，然而在超微爭取與戴爾合作的大動作下，卻得罪昔日共同赤手空拳打拼的老戰友惠普（HP）、宏碁（2353），超微為了在NB更上層樓而極力爭取和戴爾合作，恐怕真正的危機才要開始。
其實，在NB業界，大家都很清楚超微對終於可以和戴爾攜手的新里程感到振奮，不過，值得留意的是，這麼多年來，超微似乎從來沒有成功同時「照顧」這麼多家客戶，以過去的經驗來看，超微只要專心在每個階段和1家客戶好好共事或發展1項主力展品，都可以獲致很好成績，但是，只要超微開始「分心」，問題就出來了，所以，就惠普和宏碁等品牌大廠的立場，永遠要準備備案，他們現在在與超微合作的重要產品線都同時備妥相近的英特爾（Intel）機種，到了最後一刻，只要有任何風吹草動，就會立刻轉賣英特爾NB。
特別是日前甫擊敗戴爾登上全球PC霸主的惠普，其作風屬國際NB大廠相當特立獨行的一員，在過去英特爾稱霸全球NB處理器市場時，惠普獨排眾議且無畏英特爾壓力，開始採用超微處理器，其配備超微NB產品線最高峰甚至高達50％，對惠普而言，昔日擁有革命情感並共同牽手打天下的超微，如今卻全力支援眼前最直接的競爭對手，後續惠普在產品線還會做什麼樣的調整，還有得瞧。
就台NB廠來自超微的消息，預估2006年全球搭配超微CPU的NB總量將超過1,200萬台，其中，惠普仍將是超微最大客戶，不過，惠普顯然已將超微和戴爾走得這麼近的事實看在眼裡，過去惠普在網路銷售的NB，超過50％是搭配超微CPU的機種，不過，在新改款且陸續推出的消費性產品線中，不管是14.1吋寬螢幕、15.4吋或17吋寬螢幕的Pavilion和Presario，都是可以同時選擇搭配超微或英特爾處理器的雙用機種。
此外，NB成長性最為看好的在消費性市場，而全球消費性市場最強的則在經銷通路，這對向來以直銷模式、企業用戶（商用市場）見長的戴爾已經相當吃虧，但對經銷模式、消費性市場操作得宜的惠普、宏碁等大廠，卻相對擁有不少優勢。在全球NB成長已轉向消費性市場，超微卻選在此時大力支援商用NB霸主戴爾，似乎在時機點上仍有被議論的空間；超微與戴爾合作原為好事一樁，只不過究竟是福是禍，恐怕對超微真正的考驗才要開始。
戴爾、超微NB超級戰艦10月底啟航！首批月出貨量50萬台 橫掃全球449～499美元低價市場
（記者林詩萍∕台北） 2006/10/25
甫於2006年第三季失去PC龍頭寶座的戴爾（Dell）與CPU大廠超微（AMD）首次在筆記型電腦（NB）領域合作計畫即將正式啟動，據台NB代工廠指出，戴爾預計在10月最後1週開始出貨，11月初便能在全球各NB市場看到「AMD Inside」的戴爾NB，首批月出貨量高達50萬台，主要鎖定低價機種，預計將橫掃449～499美元低價市場，超微相當看重此次合作案，希望能在NB市場一舉打響聲勢，並讓其CPU市佔率更上一層樓！
台NB代工業者表示，戴爾「AMD Inside」NB自11月起將在全球開賣，預計2006年推消費性市場最主流的15.4吋NB機種，2007年第一季再推17吋NB機種，其中，15.4吋NB機種月出貨量高達50萬台，由廣達（2382）負責代工生產，將搭配超微低階NB CPU（僅少數採高階CPU），戴爾配備低階Mobile Sempron NB預計以449～499美元售價橫掃全球低價NB市場。至於戴爾2007年第一季所推出17吋NB機種，則由仁寶（2324）負責操刀，同樣是主打消費性市場。
NB業者指出，超微在全球NB CPU市佔率向來不及15％，但自2006年第四季起藉由與戴爾合作，可望快速將出貨量放大，進而推助超微市佔率再度攀升至歷史高峰。事實上，據與戴爾合作的台NB廠表示，戴爾和超微告知他們，自2006年第四季至2007年第四季雙方合作的第一年，戴爾將採用2,000萬顆超微PC CPU，其中，NB CPU估算約至少達400萬顆，顯見雙方合作誠意與決心。
值得注意的是，除戴爾首次採用超微NB CPU正式出貨外，近來超微CPU缺貨聲浪不斷，而超微卻願意以首批月出貨量高達50萬顆CPU來全力支持戴爾，且未來若市場接受度良好，極有機會持續維持此一規模月出貨量，此舉是否引發超微客戶之間的CPU貨源排擠效應，成為NB業界關注焦點。
台NB業者認為，2006年下半全球NB市場需求超旺，CPU缺貨聲浪四起，除英特爾（Intel）為Yonah庫存護航而有心讓Core 2 Duo（Merom）供貨吃緊外，向來在NB CPU少有缺貨狀況發生的超微，近期亦開始出現供貨不足，特別是在低階Mobile Sempron系列供貨缺口最為嚴重，讓不少NB大廠因CPU缺貨而在旺季出貨時顯得捉襟見肘。
不過，針對與戴爾合作情況，超微台灣分公司表示，總部並未對各區域分公司透露與戴爾合作任何細節，因此，無法對該消息作任何評論，至於有關超微NB CPU缺貨問題，則表示係因第三季需求強勁，導致供貨吃緊，對於第四季雖尚無預估值，但有信心市佔率表現會持續攀升。
磁性隨機存取記憶體技術結構剖析
上網時間 : 2006年10月24日
在新一代記憶體技術開發競賽中，飛思卡爾半導體(Freescale)已實現了磁性隨機存取記憶體(MRAM)的商業化。該公司在今年中發佈了8年來的研究成果：4MB MR2A16A元件；其MRAM記憶體技術使用磁矩來保存位元狀態，符合商業應用需求。由於MR2A16A擁有多種獨特功能，預計將在新興記憶體應用市場中創造更大商機。
MR2A16A採用256K x 16位元配置。它是一種非同步設計，使用標準的晶片啟動、寫入啟用和輸出啟用的接腳，實現了系統的靈活性，防止匯流排衝突。獨立的位元組支援接腳實現了靈活的資料匯流排控制，能以8位元或16位元為單位讀取和寫入資料。
本質上來看，MRAM是一種非揮發性記憶體技術，在不需要電源的情況下，能將記憶體內容保留至少10年時間。而MR2A16A具有無限制寫入能力。研究顯示，即使在最惡劣的執行條件下，MR2A16A位元單元也能承受58兆次讀寫週期。迄今為止，MR2A16A位元單元從未出現耐久力方面的故障，而位元迴圈研究仍在持續進行。
MR2A16A採用0.18μm製程，以及專用的MRAM製程來建構位元單元。利用這兩種技術，總共可形成5個互連層。該晶片使用3.3V電源。它具有對稱的35奈秒的高速讀取和寫入存取時間，並實現了完全靜態執行。首款MRAM元件採用44接腳的TSOP-II封裝，符合RoHS標準。它配備了業界標準的中心電源和接地SRAM輸出接腳，能應用於各種採用相同SRAM配置的現有硬體中(圖1、表1和圖2)。
MRAM邁向商業應用
MR2A16A主要瞄準商用應用領域，在這些應用中，用戶必須在系統崩潰時保存資料。當系統遇到電源故障時，有一些關鍵的資料參數必須在所有電源斷開之前快速保存。保存在MR2A16A上的資料參數還可在事後檢索，以診斷或排除導致系統故障的問題。對於這類‘黑盒’應用來說，MR2A16A相當適用，因為它能在斷電時以SRAM速度寫入資料，同時還能在沒有任何電源的情況下保留資料。
MRAM還非常適合於那些需要‘恢復播放’功能的娛樂應用。在斷電時，指示已播放媒體的時間戳記的書籤被快速保存在非揮發性MRAM記憶體上。在重新接通電源時，它幾乎可以暫態執行恢復播放功能(圖3)。
MRAM同時可實現安全系統的加密管理功能。加密參數可以在系統關閉時快速保存和保留。同樣，遊戲機也需要在電源斷開時快速保存資料參數，以保持資料完整性。
表1：MR2A16A接腳功能
圖1：MR2A16A封裝示意圖
圖2：MR2A16A結構圖
圖3：媒體恢復播放應用
位元單元作業
MR2A16A擁有包含一個電晶體和一個磁穿隧結(1T1MTJ)的交替(Toggle)位元單元。磁穿隧結(MTJ)處於MRAM位元單元的核心，它由位於兩個磁層之間的一個薄氧化鋁(AlOx)介電層組成，每個磁層都擁有一個相關的磁極。頂部磁層稱為自由層，因為它可以自由轉換極性；底部磁層稱為固定層，因為它的極性是固定的，不能更改。
自由層的極性決定了位元的狀態是‘0’還是‘1’。當自由層的極性和固定層的極性相同時(指向同一方向)，通過MTJ Stack的阻力就很小(參見圖4a)。
圖4：MTJ極性相同－阻力小
當自由層的極性和固定層的極性相反時(指向相反的方向)，通過MTI堆疊的阻力就非常大(參見圖4b)。
正是通過MTJ Stack的阻力大小決定了位元單元的讀數是‘0’還是‘1’。
在編程作業中，自由層的極性可以切換到兩個方向中的任何一個。極性通過MTJ頂部和底部垂直方向的銅互連層進行設置。垂直互連的電流產生一個磁場，該磁場可將自由層的極性方向切換為相反方向(參見圖6)。
圖6：1T1MTJ 位元單元
要成為一種可靠的記憶體，MRAM商品化的主要障礙是其位元干擾率很高。在對目標位元進行編程時，非目標位元中的自由層可以隨意編程。透過建構交替位元單元，飛思卡爾研究人員已經克服了這一問題。當位元的狀態切換時，交替 位元單元就在相同方向上旋轉磁矩。寫入線1和寫入線2上的不穩定電流脈衝就會旋轉極性，而不會干擾目標位元同一行或同一列上的位元。
為進一步讓非目標位元免受干擾，飛思卡爾在銅纜的三側使用一個塗敷層將銅互連層包圍起來。該塗敷層可以引導和集中指向目標位元單元的磁場強度。如此就能使用更低的電流，將相鄰位元與磁場隔離(在正常情況下磁場會誘發干擾)，因而對目標位元進行編程。
在量產MRAM元件前，還面臨由極薄的AlOx(氧化鋁)穿隧隔離層所導致的問題。AlOx中的厚度變化會導致位元單元阻力產生很大差異。飛思卡爾已經解決了AlOx厚度變化問題，在整個記憶體陣列、整個晶圓表面和所有量產產品中，穿隧隔離層都是相同的。
飛思卡爾還添加了兩個額外的層，因而改變了固定磁層方法。固定層下方為Ruthenium (Ru，釕)層，在釕層下方則是另外一個稱為釘扎層的磁層。固定層和釘扎層的極性相反，因而產生很強的耦合效應。這種耦合使固定層的極性保持固定。這樣，在編程作業過程中，它就不會因為突然施加磁場而發生意外翻轉(圖7)。
圖7：釘扎層
與其他記憶體的比較
與其他目前市場上通用的記憶體進行比較，MRAM具有許多優勢(表2)。
表2：目前市面上主流記憶體技術概述
快閃記憶體：快閃記憶體技術使用保存在一個浮動多晶矽(浮動閘)上的電荷，該浮動閘覆蓋在閘氧化物上。快閃記憶體位元單元的編程需要一個高電壓場，將電子的速度提高到足夠快，以便電子能克服矽物質和浮動閘之間的氧化物的能量障礙。這就使電子能夠穿過氧化物，為浮動閘充電，而浮動閘又會改變位元單元電晶體的電壓閾值。電子反覆通過氧化物會導致氧化物逐漸消耗。因而，快閃記憶體在經過1萬~100萬個寫入週期後就不能再使用。隨著連續的寫入作業，有些快閃記憶體最快可在10天內損耗。而MRAM卻能忍受無限數量的寫入週期，因為它沒有充電或放電過程。在編程過程中，磁極是旋轉的，不會產生破壞，也不會降低執行性能。
在編程過程中，快閃記憶體要求很高的電壓，以吸引電子穿過氧化物。MRAM則使用電流來產生磁場，對自由層進行編程。一般來說，快閃記憶體在大的記憶體陣列上進行編程或擦除作業。MRAM則能在單個地址上執行寫入作業。
SRAM：SRAM需要電源來保留其記憶體內容，因為它使用了CMOS邏輯電平的電晶體。MRAM記憶體內容保存在自由磁層的極性內，由於該層是磁性的，因此能在無需電源的情況下保留其狀態。
隨著技術的發展，SRAM單元日益變小，勢必會產生更多泄漏。對各個單元來說，這個泄漏很小，但是當記憶體元件中的單元增加到數百萬個時，泄漏就相當大了。隨著技術日益使SRAM單元變小，這種效應還將繼續成長。由於MRAM的非揮發性，可以在系統中採用斷電技術，使漏電流接近為零。
電池供電SRAM：電池供電SRAM由SRAM單元和電池組成。該記憶體是非揮發性的，因為電池可以提供電源，以保留記憶體內容。相反，MRAM則不需要電池來保留資料，MRAM的讀寫速度高於電池供電的SRAM。由於MRAM不需要電池，因而它也不存在電池組件降低可靠性的固有問題，因而提高了可靠性，消除了與電池處理有關的環境問題。
EEPROM：與MRAM相較，EEPROM編程速度要慢得多，寫入次數也有限。
NVSRAM：NVSRAM(非揮發性SRAM)將SRAM和EEPROM結合在一起。當電源丟失時，NVSRAM將資料從SRAM保存到EEPROM上。然而，將資料傳輸到EEPROM的速度非常慢，因此NVSRAM上需要一個大型外部電容器以保持電源，同時進行資料傳輸。MRAM具有寫入作業速度更快的優勢，可在系統正常執行期間寫入資料。因此，當電源丟失時僅需傳輸最少的資料。採用MRAM的應用可在無需使用大型外部電容器的情況下，安全地將資料寫入記憶體，進而從中受益。
FRAM：Ferroelectric RAM(鐵電記憶體)是一種非揮發性RAM，一般來說，它的陣列規模比較小，只有4KB到1MB，原因在於FRAM技術的可擴展性非常有限，進一步壓縮了位元單元大小。而MRAM就沒有受到與FRAM相同的可擴展性限制，因此可以實現更大的記憶體陣列。
MRAM的編程速度比FRAM快。有些FRAM的讀寫次數限制在100億次週期。此外，由於讀取作業會破壞正在讀取的位元單元內容，因此有些FRAM也要求在執行讀取作業後刷新記憶體。
DRAM：動態RAM要求頻繁刷新記憶體以保留資料，而MRAM則不要求刷新記憶體。
MRAM技術未來展望
預計MRAM將在汽車領域獲得廣泛使用。使用MRAM的汽車碰撞記錄器將能在出現交通事故時收集和保存更多資料。在這種應用中，記憶體的內容必須在碰撞過程中(碰撞時電源通常被中斷)倖存下來。保留在碰撞記錄器中的資料可以用於確定事故的起因或車輛故障。
使用感測器的汽車應用從MRAM技術中受益匪淺。由於感測器能夠連續不斷地向記憶體中寫入資料，因此對於快閃記憶體而言，跟上資料寫入速度會有一定困難。新型安全氣囊系統上具有感測器，用於檢測和記錄旅客重量、與車輛上其他安全設備的互動以及受影響的程度。
其他一些汽車系統，如里程表、胎壓系統和ABS煞車系統都需要頻繁地向記憶體寫入資料。隨著頻繁的寫入作業，很容易超出快閃記憶體的寫入/擦除功能限制，因而導致記憶體損耗。而MRAM則具備無限寫入週期能力，可提供更可靠的系統，特別是在安全氣囊和ABS等關鍵任務應用中。
近年來，人們對MRAM在軍事應用中的使用也產生了一些興趣。軍事應用中的很多系統都依賴電池供電的SRAM。這些應用具有電池帶來的固有可靠性問題。軍事部門已經意識到MRAM是一種更可靠的替代產品，Honeywell已經授權飛思卡爾的MRAM技術在軍事和航太應用領域內使用。
隨著MRAM技術的改進，嵌入式系統在架構方面要經歷更為劇烈的變化。目前為止，MRAM是取代嵌入式微控制器中RAM+快閃記憶體方案的最具潛力商品。一般來說，RAM用於資料儲存，快閃記憶體則用於程式儲存。MRAM將能取代這兩種記憶體，實現單記憶體架構。MRAM還可以取代微控制器中的晶片專用ROM程式碼，以便為這些程式碼提供快速的現場可編程升級。
在大型系統中，微控制器與提供快速讀寫功能的RAM記憶體進行互動。DRAM主要作為應用程式的臨時記憶體，而硬碟則用來保存應用軟體和資料的非揮發性資訊，但它的讀寫速度很慢。一旦MRAM取代了所有這些記憶體元件，我們就能即時引導PC和其他系統從中斷的地方恢復執行。MRAM的這些功能可為這種技術創造更多商機。
目前市場上仍未出現真實的通用記憶體。所有記憶體在寫入迴圈次數、讀寫速度、資料保留、陣列密度、功耗和價格方面各具優劣勢。目前市場上的所有記憶體都有其固有的侷限性，因此不可能同時具備所有類型記憶體的最佳特性。然而，隨著技術的進一步改進，MRAM將憑藉其優勢，在成為通用記憶體方面佔據獨特的優勢地位。
耐久性研究
MR2A16A位元耐久性的研究目的是確定MRAM位元單元是否受到耐久性限制。這種經驗式研究還用於確定重覆使用記憶體是否會對軟錯誤率(SER)產生負面影響。
讀寫週期測試是在Burn-in(老化試驗)系統中進行的，很多單元能夠同時執行。功能測試和軟錯誤率資料的收集則在ATE上進行。
該元件在4MHz(250奈秒)和90℃的條件下執行。MR2A16A的最高頻率為28.5MHz (35ns)。商用產品的最高週邊溫度規格為70℃。根據計算結果，若在4MHz頻率下執行，其執行頻率會增加到28.5MHz，則MR2A16A接面溫度將會提高20℃。所以，儘管70℃是規定的最高溫度，但研究實際上是在90℃溫度下進行的。
迴圈壓力、功能測試、SER資料收集都在最壞的標稱電壓和溫度執行環境下進行。這時，我們研究的元件忍耐了58兆(5.8E13)次讀寫週期，而沒有出現任何故障。該研究還在進行中，旨在確定能在多大程度上為MR2A16A 1T1MTJ位元單元的寫入週期收集經驗資料。
作者：Tom Lee
飛思卡爾半導體公司
