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NEC發表55nm混載DRAM技術 有望在07年下半年量產

DATE 2006/09/19/01

　　【日經BP社報道】

此次的存儲單元的構造。圖片提供：NEC電子。
　　NEC電子、美國NEC電子及德國NEC電子（歐洲）發表了採用55nm工藝CMOS技術製造的混載DRAM技術“UX7LSeD”。該公司在2005年發表了55nm工藝CMOS邏輯技術“UX7L”（參閱本站報道1），此次的UX7LSeD是面向該技術的混載DRAM。

　　與90nm工藝混載DRAM一樣，存儲單元均採用通過金屬電極夾著ZrO2絕緣膜的“MIM（metal-insulator-metal）2”構造（參閱本站報道2）。此次使用HfSiOx柵絕緣膜、利用NiSix工藝製造了源極、漏極及柵極。NEC電子稱，在混載DRAM上同時使用HfSiOx和NiSix，此次尚屬首次。通過使用HfSiOx，在減少泄漏電流的同時，還使導通電流增加了20％。另外通過使用NiSix，則可降低存儲單元的寄生容量。

　　使用該技術的8Mbit以上的混載DRAM模組有望在2007年下半年量產。（記者：小島 郁太郎）

posted by C.H. Chen @ 11:26 PM