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SiFusion爐具獲美國12吋晶圓廠用於90奈米製程

上網時間 : 2006年09月19日

Integrated Materials宣佈，已有一家重要的半導體製造商首次指定該公司的SiFusion爐具，做為其氧化退火流程工具。這家位於美國的300mm晶圓廠，將其所有運轉中的爐具更新為SiFusion多晶矽爐具，原因在於SiFusion爐具在其高溫加工中大幅提高了整體元件產量。

Integrated Materials表示，該客戶在90奈米製程中使用SiFusion高溫長柄蒸發皿，並對SiFusion爐具進行了一年的評估，其間還比較了其他氧化退火流程產品，最終SiFusion的性能獲得了肯定。此外SiFusion蒸發皿還獲得另外兩家亞洲圓晶廠的認可。

氧化退火製程的關鍵是晶圓處理、支援以及保持一個離子純環境。偶然的斷裂或污染會縮短金剛砂和石英蒸發皿的使用壽命。Integrated Material表示，SiFusion多晶矽爐具能減少觸點損壞、降低晶圓上的機械應力並減少離子污染；這些優勢直接來自製造SiFusion爐具所用的多晶矽材料。多晶矽與器件晶圓的熱膨脹係數一致，比金剛砂材料「軟」20倍；對於300mm晶圓，在氧化退火中SiFusion爐具與石英和金剛砂耗品相比具有顯著優勢。

而由於300mm晶圓比200mm晶圓要大很多且重很多，氧化退火製程對器件產量的影響更大，其主要原因在於固定晶圓的應力。此外，300mm製程通常用於生產包含較小設計結構的尖端器件。所以，這些製程對於離子污染往往更敏感。SiFusion技術有效地減少了污染問題。除了氧化退火環境外，SiFusion還適用於其他高溫和LPCVD半導體和製程。

posted by C.H. Chen @ 7:44 PM