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記憶體製程推向58nm　Qimonda將發表技術成果

上網時間 : 2006年09月14日

由英飛凌(Infineon)獨立的記憶體製造商奇夢達(Qimonda)的工程師日前表示，該公司計劃在2006年12月於美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，發表以58奈米DRAM製程技術為主題的報告。

Qimonda的研究人員計畫在該場報告中展示完整的58奈米製程技術；該公司曾用此技術製造512Mb容量、工作電壓1.2V~1.35V之間、支援每通道傳輸速率3.2Gbps的DRAM。根據報告摘要顯示，這個DRAM技術具有一個擴展的U形單元結構，一種金屬絕緣層矽溝狀電容器，具有不導電的高k閘電路，k=2.8的絕緣體用於末端互連。

目前，生產DRAM記憶體具有實用價值的最先進製程為70奈米至80奈米範圍。三星電子(Samsung)亦宣稱，已在2006年8月開始使用80奈米製程量產1GB容量DRAM記憶體。

(Peter Clarke)

posted by C.H. Chen @ 12:37 AM