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美光斥資35億美元重押NAND Flash　力抗三星、東芝記憶體大廠紛聚焦NAND Flash　台廠可望於DRAM市場坐大

（記者吳宗翰∕台北） 2006/09/15

　美光（Micron）全球執行長Steve Appleton在接受日經新聞媒體訪問時指出，美光將會在2007年度投入35億美元鉅資做為擴充NAND型快閃記憶體（Flash）設備，分析師認為，美光之所以會有如此規劃，主要希望在接下來競爭激烈的NAND型Flash市場中，與三星電子（Samsung Electronics）及東芝（Toshiba）等大廠競爭，也正因為國際NAND型Flash大廠全力投入這塊市場，台系DRAM廠將可因此在DRAM市場中取得絕對優勢。

　美光與英特爾（Intel）所共同出資成立的IM Flash記憶體公司，雖屬於NAND型Flash市場的後進者，不過，IM Flash對於NAND型Flash企圖心並不輸給三星、海力士（Hynix）、東芝，除了在製程技術上的全力挺進外，同時在產能擴充上亦不落人後。

　IM Flash雖在90奈米製程世代上輸給三星、東芝、海力士，不過，為能跟上幾家NAND型Flash大廠步伐，IM Flash更一舉將製程技術直接跨入50奈米製程，至於在產能上，雖說目前仍採美光及英特爾自有廠房，不過，根據日前IM Flash對外公開資料顯示，至2008年底或2009年初，IM Flash自有的12吋廠將正式進入量產階段。

　而為了能夠持續保有市場競爭力，Appleton也於日前接受日經新聞採訪時表示，美光已決定再斥資35億美元，用於擴充NAND型Flash產能。分析師認為，這部份應該是用於擴增IM Flash自有12吋廠產能所需的機器設備，以便能在2008年讓自有的晶圓廠順利運作。

　近來幾家NAND型Flash一線廠商對於投資擴產絲毫未見手軟，像是東芝在近期公佈的2008年度半導體事業計畫細項中，將更積極佈局NAND型Flash，計劃第五座廠最快在2008年內開始投產，估計第五座NAND型Flash投資金額將高達6,000億日圓（約51.03億美元），此外，也外傳東芝尚考慮在新加坡籌建第六座廠，東芝對此雖予以否認，但足以證明就算第二大NAND型Flash廠，也完全不敢掉以輕心。

　而面對這幾大NAND型Flash廠不斷擴充產能，對於標準型DRAM的投入程度自然不像過去那樣深，但反觀台系DRAM廠目前所有擴充產能，大部份還是用於投入標準型DRAM，像是茂德（5387）在投入晶圓三廠甚至是晶圓四廠，茂德都還是不改初衷表示，茂德絕對是優先用於投入標準型DRAM，至於NAND型Flash部份，則再依市場情況而定。

　同樣的，南亞科（2408）、華邦電（2344）等DRAM廠，所有投入資源無不是用於標準型DRAM，為的便是希望能夠在國際記憶體大廠爭奪NAND型Flash市場之際趁勢坐大。

posted by C.H. Chen @ 1:21 AM