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意法甫與海力士合資12吋廠、再傳與三星合作傳意法與三星簽訂OneNAND Flash技術授權合約

（記者吳宗翰∕台北） 2006/10/24

甫於10月中與海力士（Hynix）共同於無錫宣佈合資成立12吋廠，正式採用80奈米製程技術量產DDRII的意法半導體（STMicroelectronics），於23日又再度傳出將進一步擴大策略合作關係，將與三星電子（Samsung Electronics）共同簽訂OneNAND型快閃記憶體（Flash）技術授權合約。

　意法與海力士合資的無錫12吋廠正式進入量產階段，初步將採用80奈米製程投產DDRII，月產能在年底將拉高至1.5萬片，而此訊息在發佈後不到2週，市場上又傳出意法將與三星策略聯盟，三星將授權意法量產OneNAND型Flash商品，估計最快可在2007年初左右正式投產。

　市場人士認為，意法之所以會如此積極找尋策略合作夥伴，事實上與7月半導體設備展時，意法市場策略副總裁Guy Dubois的說法有關，Dubois當時表示，尋求夥伴共同承擔研發費用、建廠成本是大勢所趨，儘管IDM業者與晶圓代工廠模式不同，未來會持續貫徹結盟策略，推行「一夫多妻」（polygamy）的獨特IDM模式（unique IDM）。

　分析師認為，意法與三星結盟，最主要還是著眼於未來能提供客戶端一次購足的服務。仔細觀察意法目前所擁有的產品線，在Flash部份已擁有大量生產NOR型Flash經驗與產能，對於手機客戶而言，NOR型Flash是1項相當重要產品，但由於未來手機愈來愈強調多媒體功能，也就是說對於儲存部份需求同樣與日俱增，也因此使得意法對於NAND型Flash產品需求度也相當強勁。

　因此，意法選擇與海力士共同出資，在無錫成立12吋晶圓廠，雖說目前12吋廠主要還是用在DRAM，但緊接著也將陸續導入NAND 型Flash投產，這部份將可滿足意法對NAND型Flash的需求，不過，NAND與NOR型Flash結合的商品也是未來手持式裝置必備的零組件之一，這部份對意法而言，確實是其所欠缺部份，而要在短時間內取得這樣商品，最快方式便是取得其餘半導體廠技術授權。

　如此一來，將可使得意法快速進入此一領域，意法雖曾表示，開發NAND與NOR型Flash結合在一起商品並不困難，但重要的是要有客戶需求，如今看來在終端商品部份確實愈來愈需要此一種類商品，而在此時能夠取得三星技術授權，一般認為將會是最有效率方式。

posted by C.H. Chen @ 7:10 PM