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Samsung將於IEDM發表其電阻式記憶體研發成果

上網時間 : 2006年09月22日

三星電子(Samsung)的研究人員將於12月11~13日在美國舊金山舉行的國際電子元件大會(IEDM)上，發表該公司以聚合物材料為基礎的電阻式記憶體(resistive memory)技術研發進展。該公司研發了一種包括電阻性和導電性聚合物的複合性薄膜──成份包括聚亞醯胺(polyimide)和PCBM──以及利用這種材料作為4F2交叉結構非揮發性記憶體的儲存介質。

電阻式RAM (RRAM)的開發，通常以電氣脈衝(electrical pulse)為基礎，來改變穿過簡單二進位金屬氧化物(binary metal oxide)、或更複雜的鈣鈦礦氧化物(perovskite oxide)薄膜的阻抗。因具備高密度、低成本、低功耗及非揮發特性，RRAM已成為業界不少公司的研究重點。

RRAM具有通用記憶體的典型曲線，結合了SRAM的速度、DRAM的密度及快閃記憶體的非揮發性。身為該領域技術最積極研發者之一的三星，將展示電阻式記憶體不僅能用聚合物材料製成，而且還能在低溫下加工；該公司並透露可能在今年底推出RRAM樣品。

(參考原文：Samsung set to discuss polymer resistive memory at IEDM)

(Peter Clarke)

posted by C.H. Chen @ 11:26 PM