行動通訊領域對元件價格敏感 恐非GaN舞台
上網時間 : 2006年09月20日打 印 版 推 薦 給 同 仁 發 送 查 詢
氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)正成為半導體RF功率元件的主流製程技術。除了一些軍事應用和微波通訊以外，對於氮化鎵的多數興趣都集中在行動無線基礎設備和WiMAX上，但根據市場研究機構ABI Research最近發表的一份報告，該應用領域對價格敏感的特性，可能並不適合GaN。
ABI Research的研究主管Lance Wilson指出：「與傳統放大器電路中的Si LDMOS進行比較時，除了新穎性以外，元件成本對於GaN非常不利。隨著時間的推移，GaN的價格形勢將逐步改善，並有助於減輕這個問題。但是ABI Research認為在行動基礎設備中，單顆GaN元件的價格將永遠達不到Si LDMOS的水準。這絕對是成本較高的製程技術。」
一些發展可能會縮小二者之間的價格差距，而且性能必須考慮在內。Wilson表示：「在行動無線基礎設備領域，這兩項技術在價格與性能方面大致相同。GaN將在未來幾年在針對行動無線基礎設備的RF功率放大器市場佔有一部份市場，但不是全部。」
ABI Research認為，市場中的GaN廠商過多，至少有一半將會出局。但GaN的未來也並非全無機會。在4GHz以上的頻率範圍，GaN可能主宰全部高功率市場。
(參考原文：Wireless infrastructure "wrong playing field" for GaN - Analyst)
(John Walko)
posted by C.H. Chen @ 8:03 PM
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