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中芯Fab 8廠明年中完工　研發中心擬遷回上海協助投入65奈米以下製程開發　成為最先進製程廠區

記者孫克蕾∕上海） 2006/09/11
大陸晶圓代工廠中芯國際不畏與台積電（2330）間的侵權爭議延燒，持續開發先進製程技術，據了解，興建中的上海Fab 8廠預計2007年中完工，研發中心已計劃完工後，從北京12吋廠搬回上海，協助新建成的Fab 8廠投入先進製程開發，目前初步規劃將以65奈米以下先進製程為主，有可能成為中芯眾多晶圓廠中，技術最先進的廠房。

　中芯8日於上海舉辦年度技術研討會，會中以0.13微米、90奈米先進製程為主打重點，不過，由於日前與台積電侵權爭議再起，因此本次技術研討會格外受到外界矚目，而開幕式也由中芯副總裁陳乃勇代替執行長張汝京致詞。會場中受邀業者逾300多家，並有30多家設立攤位，年度盛會的聲勢似乎未受侵權案影響，也有中芯員工表示，儘管侵權案再起，但明顯感受到，這次與上次不同，上回許多客戶來電關切，但這次客戶關切此事不如上次明顯。

　陳乃勇表示，過去1年中芯取得許多技術進展，北京12吋廠90奈米製程已成功量產，65奈米製程也正積極研發中，將於2007年1月開始量產，中芯更強調，目前推出的IP（Intellectual Property）已經超過400個，以滿足客戶對0.13微米、90奈米製程需求。據了解，中芯2007年第一季將正式投入低耗電65奈米製程試產，預計第三季泛用型65奈米製程進入量產階段。

　中芯為因應手機客戶對先進製程的要求，90奈米、65奈米製程將會先推出低耗電製程方案，約1季後，才會推出泛用型製程。依據目前中芯北京12吋廠已投入低耗電90奈米製程的進度預估，第四季90奈米泛用型製程也將會進入量產階段，研發團隊已正進行最後確認工作。

　不過，值得注意的是，中芯已興建一陣時日的上海Fab 8廠，最快預計將在2007年中完工，屆時核心研發團隊將從北京12吋廠遷移回上海，據了解，極可能與中芯內部規劃將Fab 8廠用為65奈米以下先進製程開發之用，Fab 8廠將成為中芯眾多晶圓廠中，製程最先進的廠區。之前曾盛傳中芯未來屬意以Fab 8廠投入快閃記憶體（Flash）生產。

posted by C.H. Chen @ 7:00 PM