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飛思卡爾：利用4Mbit產品推動MRAM的普及

DATE 2006/09/20/01

　　【日經BP社報道】


　　非揮發性記憶體MRAM不僅可隨機訪問，而且可無限次擦寫。一致力於MRAM研發的美國飛思卡爾半導體公司終於投產了4Mbit產品。就其投產的目的及未來前景，筆者採訪了該公司負責MRAM技術開發工作的Saied Tehrani（MRAM和SMARTMOS技術和技術解決方案部門經理）。（採訪者：大石 基之，大下 淳一）

問：適合使用MRAM的產品是什麼？

Tehrani：現階段最被看好的應用就是取代電池後備SRAM。使用MRAM，能以更低的成本得到可靠性更高的記憶體。具體來說，就是能夠取消電池後備SRAM必須使用的電池和電池控制單元。可減少設備的元件數量。而且從MRAM的使用方式上來看，非常適合於保存設備最後資訊的配置存儲用途。在使用設備過程中即使突然停電，或者發生了系統故障，由於MRAM保存了最後的狀態，因此能夠將設備恢復到故障發生前的狀態。能為印表機廠商等客戶帶來很大的好處。能夠高速寫入，而且可無限擦寫的MRAM使這種使用方式變成了可能。

問：MRAM是否還可用於其他用途？

Tehrani：其他還有硬盤和NAND閃存等需要大容量存儲的緩存用途。由處理器向記憶體載入數據時，能夠得到更高的可靠性。這種使用方式同樣也是因為MRAM具有高可靠性和高性能的特點才成為可能。針對上述各種應用，我們已經向40多家客戶提供了4Mbit MRAM樣品。現已有多家客戶決定採用，我們也做好量產的準備。

問：在技術方面，什麼是MRAM得以投產的關鍵？

Tehrani：我們使抗紊亂能力較強的觸發寫入方式達到了實用水準。

問：能否將工藝成本控制在低水準？

Tehrani：由於能夠採用CMOS工藝生產，因此MRAM的工藝成本較低。儘管需要成膜工藝以防止外部磁場產生內部紊亂，但成本的增加非常小。

問：現為單一用途投產的4Mbit MRAM採用多少nm的設計工藝進行生產？能否談一下此後的工藝藍圖？

Tehrani：4Mbit產品採用180nm工藝。此後將跳過130nm，直接過渡到90nm工藝。90nm產品將在2～3年內投入量產。為了向65nm以後的工藝過渡，目前正在開發自旋注入反磁化這一新技術。

問：為SoC混載領域投產時是否也需要這樣一種微細化工藝？

Tehrani：記憶體混載SoC的主流設計工藝是180～250nm。目前，利用現有工藝即可滿足要求。

問：是否已經計劃投產4Mbit以外的產品？

Tehrani：現已制定了容量比4Mbit要小的產品和16～32Mbit產品的投產計劃。但沒有投產Gbit級大容量產品的計劃。

問：三星已經宣佈投產PRAM（相變RAM記憶體）。其用途會不會與MRAM重疊？

Tehrani：不會重疊。PRAM廠商的目標是取代NOR閃存。而在MRAM設想的用途中，PRAM無法滿足對工作速度和可擦寫次數的要求。

posted by C.H. Chen @ 8:40 PM