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Aviza推首台12吋晶圓級離子束沉積系統　FSI跨足32奈米以下單晶圓清洗系統

宋丁儀／台北 2008/11/14

　半導體景氣不佳、訂單銳減，不過邁向先進製程研發的腳步並未停下，同時半導體設備業者也積極朝向新興市場如太陽能、次世代磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)及22奈米、32奈米世代投資。先進半導體設備業者Aviza便宣布推出第1台12吋晶圓級離子束沉積系統，並已出貨給研究機構CEA-LETI；FSI也宣布，其單晶圓清洗系統可克服22、32奈米光阻去除過程中材料減損的問題。

Aviza產品行銷副總裁David Butler表示，推出全球第1台12吋晶圓級離子束沉積系統StratIon fxP，並已成功出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC。除了將該先進設備出貨，CEA-LETI也與Aviza簽署一項3年聯合發展計畫，包括共同研發次世代記憶體MRAM和自旋電子裝置會採用的MTJ沉積製程研發。

Aviza全球企業行銷副總裁Michael Martinez表示，儘管目前半導體市場不確定性高，但義無反顧投資先進技術研發，他說MRAM便是朝向下一世代替代性記憶體開發最佳案例。Aviza預估以目前產業界在日系記憶體業者領軍之下，2010年MRAM市場規模可成長至少30億美元，目前包括國內業者台積電也與工研院(ITRI)進行研發合作。

全球晶圓表面處理與微影設備業者FSI則宣布，推出ORION單晶圓清洗系統，在其擁有設計專利的密閉式處理腔中處理先進製程32、22奈米晶圓清洗製程。由於在超淺布植之後光阻去除製程中會降低材料損失，以及在高介電係數材料金屬閘(HKMG)製程會造成材料損失、電流腐蝕等難題，晶圓清洗便成為高難度挑戰。

FSI行銷副總裁Dr. Scott Becker表示，藉由免除傳統的灰化製程(asher)，得以改善10倍的基材耗損量，並降低製程週期、製程複雜度及製程工序，而密閉式處理腔也可有效排除晶圓製程環境中的氧含量，降低金屬包覆層時出現基材耗損與腐蝕。目前FSI已與包括國內業者聯電等合作45奈米製程技術，並積極布局未來32奈米以下製程。

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posted by C.H. Chen @ 4:59 AM