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Epion與日本大廠合作以GCIB技術開發45奈米元件

上網時間 : 2006年09月15日

氣體團簇離子束(GCIB)技術開發商Epion宣佈，該公司已經與一家重要的日本半導體元件製造商共同啟動了一個聯合開發計畫。這家日本公司是全球行動通訊、汽車和PC/AV市場領先的半導體系統解決方案提供商，同時是全球首屈一指的微控制器供應商。

這個開發計畫將利用Epion的GCIB技術，來開發製造45奈米及更小元件的CMOS邏輯結構所用的高級製程。該客戶的日本工廠中已經安裝了Epion的nFusion摻雜系統，使元件製造商能夠評估nFusion系統的技術和生產效能，同時向Epion提供有價值的回饋。

GCIB是一種室溫加工技術，其獨特功能是能夠改變晶圓表面上原子的頂端幾層。這樣就能完成奈米級的表面化學以解決尖端的晶圓摻雜和沉積問題。nFusion系統的應用包括使用含硼團簇來製造超淺接合(USJ)，使用硼鍺(B-Ge)團簇來增強淺接合，或澱積高品質的矽鍺或鍺層。

nFusion系統則能夠形成半導體32和22奈米技術節點需要的「盒狀」摻雜分佈圖，坡度只有1nm/decade而且沒有能量污染。這是以高吞吐量完成的，完全不同於傳統離子植入的效能。

該系統的技術規格包括200和300mm晶圓相容性；>95%可用性(已通過400小時的測試)；植入速率高達每分鐘1x1016個原子/cm2；均勻度誤差<1%。系統成本低於傳統的高電流離子植入器，佔地面積大約是後者的一半。

posted by C.H. Chen @ 12:35 AM